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30v 85a,低压mos管,85a30v,KNY3403B场效应管参数-KIA MOS管
KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别定制，低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力等特性，确保性能稳定可靠；广泛应用于...www.kiaic.com/article/detail/5433.html 2025-01-08
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双节锂电池充电电路,双节锂电池充电方案-KIA MOS管
VIN引脚作为电池充电的输入电源，其工作电压范围为5V至18V。CS引脚是TP5100的充电功能使能引脚。通过控制其逻辑电平，工程师可以调整锂电池的充电电压。通常，该引脚会接入外部开关或MCU单片机。当CS=1时，充电电压为4V，即启动双节锂电池充电功能。www.kiaic.com/article/detail/5432.html 2025-01-08
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空间电荷区的概念,空间电荷区的形成-KIA MOS管
在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，PN结中间的部位（P区和N区交界面）会产生一个很薄的电荷区，这就是空间电荷区。www.kiaic.com/article/detail/5431.html 2025-01-08
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30v90a,90a30v场效应管,KNY3303A参数引脚图资料-KIA MOS管
KNY3303A场效应管采用先进的平面条形DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，低导通电阻RDS(on)=3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；改进的dv/dt能力、快速切换、绿色设备可用，稳定可靠；适用于高效开关电源、功率因数校正...www.kiaic.com/article/detail/5430.html 2025-01-07
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或门与门非门符号,逻辑门符号详解-KIA MOS管
与门（AND gate）?：符号为“∧”或“&”，真值表显示只有当所有输入为1时，输出才为1。?或门（OR gate）?：符号为“∨”或“|”，真值表显示只要有一个输入为1，输出就为1。?非门（NOT gate）?：符号为“¬”或“~”，真值表显示输出与输入相反。www.kiaic.com/article/detail/5429.html 2025-01-07
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开关变压器工作原理图,正激式反激式变压器-KIA MOS管
图1是正激式变压器开关电源的简单工作原理图，图1中Ui是开关电源的输入电压，T是开关变压器，K是控制开关，L是储能滤波电感，C是储能滤波电容，D2是续流二极管，D3是削反峰二极管，R是负载电阻。www.kiaic.com/article/detail/5428.html 2025-01-07
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逆变器mos,80v场效应管,TO-263,KNB3508A参数中文资料-KIA MOS管
KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、100%雪崩测试、符合RoHS标准，?稳定可靠；适用于逆变器系统的电源管理、?锂电池保护板、切换应用程序，高...www.kiaic.com/article/detail/5427.html 2025-01-06
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功率放大电路的四种类型,特点详解-KIA MOS管
A类放大电路的工作原理是将输入信号加到晶体管的基极或栅极上，通过晶体管的非线性特性将信号放大。在放大过程中，晶体管的集电极电流随输入信号的变化而变化，从而在集电极和发射极之间产生电压变化，实现信号放大。www.kiaic.com/article/detail/5426.html 2025-01-06
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电阻与电流的关系,电流,电压,电阻,功率关系-KIA MOS管
当导体两端电压一定时，流过导体电流与导体电阻成反比。电流与电压、电阻间的关系公式为：I=U/R，其中I为电流，U为电压，R为电阻。由上述公式可知，当电压一定时，电流越大，电阻越小，反之电流越小，电阻越大。www.kiaic.com/article/detail/5425.html 2025-01-06
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3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景?，在变频器电源和逆变器、适配器、充电...www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-01-03
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mos管反相器详解,mos管反相器工作原理-KIA MOS管
下图为反相器的结构示意图，由一个PMOS和一个NMOS拼接而成；当v=1时，T1截止，T2导通，vo=0;当v=0时，T1导通，T2截止，vo=1;www.kiaic.com/article/detail/5423.html 2025-01-03
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mos管自举电路原理,mos管驱动电路分析-KIA MOS管
当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通；这时Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V，Q管（MOS）导通。在这里我们可以得知，自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。www.kiaic.com/article/detail/5422.html 2025-01-03
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逆变器mos管,60v130a场效应管,KIA2906AP参数资料-KIA MOS管
逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高雪崩耐量，稳定可靠，符合RoHS标准，绿色环保；优越的开关性能在逆变器、适配器、UPS电源中确保高效的电能转换...www.kiaic.com/article/detail/5421.html 2025-01-02
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二极管反向电流,二极管正向电流和反向电流-KIA MOS管
反向电流是指在二极管两端施加反向电压时流过的电流，通常称为反向饱和电流或漏电流。这种电流是由于少数载流子在二极管内部发生漂移运动而产生的。反向饱和电流的大小受温度影响很大，温度升高会导致反向饱和电流增大?。www.kiaic.com/article/detail/5420.html 2025-01-02